Установка для выращивания кристалла кремния

Назначение: Предназначена для производства в автоматическом режиме (кроме затравления) монокристаллов кремния диаметром до 250 мм общей длиной до 1600 мм методом Чохральского из тигля ø 508 мм. Наименование параметра Значение
Диаметр кристалла, мм, не более

250
Длина кристалла, мм, не более

1600
Скорость перемещения затравки, мм/мин

0,1 - 8,0
Частота вращения затравки, об/мин

1,0- 30,0

Погрешность поддержания скорости перемещения и частоты вращения затравки, %

±1

Рабочий ход тигля, мм

400
Скорость перемещения тигля, мм/мин

0,01- 2,0

Частота вращения тигля, об/мин

1,0- 20,0
Диаметр тигля, мм

508
Предельное остаточное давление, мм рт.ст.

5х10-3

Максимальная скорость откачки, л/с

150
Расход охлаждающей воды, м3/ч

10
Давление охлаждающей воды на входе, МПа, не менее

0,3
Расход аргона, л/ч, не более

3600
Рекомендуемое давление на входе в газовую систему, М 0,25
Рекомендуемое давление сжатого воздуха, МПа

0,6
Расход сжатого воздуха на процесс, м3, не более

0,1
Питание:
напряжение, В
частота, Гц 3х380+N
50
Максимальная мощность на нагревателе, кВА 150
Напряжение питания нагревателя, В

0 - 60
Габаритные размеры, мм 4000х2700х6200
Масса, кг 6000